Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
circuit intégré en mode à déplétion — integrinis nuskurdintosios veikos grandynas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion mode integrated circuit vok. integrierter Schaltkreis vom Verarmungstyp, m rus. микросхема на полевых транзисторах, работающих в режиме… … Radioelektronikos terminų žodynas
depletion-mode integrated circuit — integrinis nuskurdintosios veikos grandynas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion mode integrated circuit vok. integrierter Schaltkreis vom Verarmungstyp, m rus. микросхема на полевых транзисторах, работающих в режиме… … Radioelektronikos terminų žodynas
integrinis nuskurdintosios veikos grandynas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion mode integrated circuit vok. integrierter Schaltkreis vom Verarmungstyp, m rus. микросхема на полевых транзисторах, работающих в режиме обеднения, f pranc. circuit intégré en mode à… … Radioelektronikos terminų žodynas
микросхема на полевых транзисторах, работающих в режиме обеднения — integrinis nuskurdintosios veikos grandynas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion mode integrated circuit vok. integrierter Schaltkreis vom Verarmungstyp, m rus. микросхема на полевых транзисторах, работающих в режиме… … Radioelektronikos terminų žodynas
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
FinFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
MOS-FET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
MOS-Fet — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
